半導體材料可以分為晶圓材料和封裝材料，封裝材料相較于晶圓制造材料來說技術壁壘相對較低，所以我們主要講的是晶圓制造材料。半導體材料市場占比在 3%左右的濺射靶材。簡單地說，靶材就是高速荷能粒子轟擊的目標材料，通過更換不同的靶材（如鋁、銅、不銹鋼、鈦、鎳靶等），即可得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等）。

科技日報：ITO靶材是35項卡脖子技術之一。2018年，尤特成立ITO靶材部，目前已量產達到國際水平的ITO靶材，打破國外對高等ITO靶材的壟斷，整體化為客戶提供高等磁控濺射鍍膜行業全棧式服務。獲得很薄的金屬薄膜。而關于透明導電材料的研究進入一個新的時期，則是在第二次世界大戰期間，主要應用于飛機的除冰窗戶玻璃。而在1950年，第二種透明半導體氧化物In2O3初次被制成，特別是在In2O3里摻入錫以后，使這種材料在透明導電薄膜方面得到了普遍的應用，并具有廣闊的應用前景。目前制備ITO薄膜的方法有很多種，如低電壓濺射、直流磁控濺射和HDAP法。將ITO玻璃進行加工處理、經過鍍膜形成電極。從設備所占市場份額看，AMAT的產品覆蓋了整個產業鏈，眾多產品市場占有率處于****水平。包括PVD沉積設備（84.9%），P設備（66%）。離子注入設備（73%）領域處于****水平。此外，泛林的刻蝕機市場占有率達到52.7%。膜時提高襯底溫度以加大薄膜晶粒尺寸,優化薄膜結晶性能。

隨著芯片的使用范圍越來越廣泛，芯片市場需求數量增長，對于鋁、鈦、鉭、銅這四種業界主流的薄膜金屬材料的需求也一定會有增長。種薄膜金屬材料的其他方案，所以這四種材料目前看不到被替代的風險。在競爭格局上，由于濺射鍍膜工藝起源于國外，所需要的濺射靶材產品性能要求高，產主要集中在美國、日本少數幾家公司，產業集中度相當高。以霍尼韋爾（美國）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等為代表的濺射靶材生產商占據大部分國家絕大部分市場份額。握濺射靶材生產的核心技術以后，實施極其嚴格的保密措施，限制技術擴散，同時不斷進行橫向擴張和垂直整合，將業務觸角積極擴展到濺射鍍膜的各個應用領域。市場的主動權，并帶領著大部分國家濺射靶材行業的技術進步。

靶材主要應用在平板顯示、記錄媒體、光伏電池、半導體等領域。貨品的深加工技術朝高純化、精細化、的方向發展。由于鉭的表面能形成致密穩定、介電強度高的無定形氧化膜，易于準確方便地控制電容器的陽極氧化工藝，面積，高低溫特性好、使用壽命長、綜合性能不錯、其他電容器難以與之媲美，國外對高純金屬材料的開發研究較早，英國和俄羅斯等國家意志以來都十分重視高純金屬材料的研制、生產和應用。其生產的高純金屬材料品種齊全、質量好、產量大，產品純度高可達6N以上。貨品因其優良的理化性能和高可靠性，成為保證半導體器件性能和發展半導體技術必不可少及不可替代的材料。此外，玫瑰金靶材、1N14靶材、2N18靶材等金銅合金靶材。在高等裝飾鍍膜中也有著廣泛的應用。

從目前的ITO靶材行業地位來看，日本能源、東芝和三井在大部分國家ITO靶材市場擁有80%以上的份額。平板顯示器件都要用到各種類型的薄膜，沒有薄膜技術就沒有平板顯示器件。平板顯示器多由金屬電極、透明導電極、絕緣層、發光層組成，為了保證大面積膜層的均勻性，提高生產率和降低成本。平板顯示器多由金屬電極、透明導電極、絕緣層、發光層組成，為了保證大面積膜層的均勻性，提高生產率和降低成本，幾乎所有類型的平板顯示器件都會使用大量的鍍膜材料來形成各類功能薄膜，其所使用的PVD鍍膜材料主要為濺射靶材，平板顯示器的很多性能如分辨率、透光率等都與濺射薄膜的性能密切相關。靶材市場發展趨勢開發用于4k/8k非常高清顯示的IGZO。

半導體芯片行業是金屬濺射靶材的主要應用領域之一，是對靶材的成分、籌備和性能要求高的領域。具體來講，半導體芯片的制作過程可分為硅片制造、晶圓制造和芯片封裝等三大環節，其中，在晶圓制造和芯片封裝這兩個環節中都需要用到金屬濺射靶材。靶材是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關鍵材料。靶材是制備晶圓、面板、太陽能電池等表面電子薄膜的關鍵材料。我國ITO靶材產業發展現狀及其對我國觸控面板產業的影響。氧化銦錫(IndiumTinOde)，作為一種n型半導體材料，具有高的導電率、高的可見光透過率、高的機械硬度和良好的化學穩定性。液晶顯示器(LCD)、等離子顯示器(PDP)、電致發光顯示器(EL/OLED)、觸摸屏(TouchPanel)、太陽能電池以及其他電子儀表的透明電極上廣泛應用。

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