靶材****有望獲得重點支持。在半導體材料行業中，靶材行業屬于高等靶材仍在日美等國把控，但是國產替代已經嶄露頭角，呈現定點打破局面，正是需要社會資金大力投入奮力追趕之關鍵時刻。按照半導體材料占比產業9%，靶材占比材料3%比例測算，靶材行業有望獲得超過30億元投資支持，直接利好****公司。隨著FPD靶材國產化的發展以及加速國產化靶材的成長，免稅政策有必要取消，帶背板的濺射靶材組件的****普通稅率為17%。如果征收關稅，提高海外靶材供應成本，將有利于國產化靶材的發展和滲透率提升。

國內集成電路產業一直受制于人，每年大量從海外****，****金額居所有****商品中位，超過市場上熟知的貨品和鐵礦石等資源品。近年來。中興制裁與華為都給我們敲響警鐘，芯片等核心技術產業亟需發展，國產替代刻不容緩。作為半導體材料中的重要一環—濺射靶材同樣如此，國產化是必然之路。在競爭格局上，由于濺射鍍膜工藝起源于國外，所需要的濺射靶材產品性能要求高，長期以來大部分國家濺射靶材研制和生產主要集中在美國、日本少數幾家公司，產業集中度相當高。以霍尼韋爾（美國）、日礦金屬（日本）、東曹（日本）等為代表的濺射靶材生產商占據大部分國家絕大部分市場份額。 這些企業在掌握濺射靶材生產的核心技術以后，實施極其嚴格的保密措施，限制技術擴散，同時不斷進行橫向擴張和垂直整合，將業務觸角積極擴展到濺射鍍膜的各個應用領域，牢牢把握著大部分國家濺射靶材市場的主動權，并帶領著大部分國家濺射靶材行業的技術進步。

盡管全世界各大廠生產的材料幾乎都能99.99%的純度，但卻唯有日本廠商的材料能將純度達到99.999%。半導體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料，化學品、電子氣體、P拋光材料、以及靶材等；芯片封裝材料包括封裝基板（39%）、引線框架、樹脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等。磷化銦靶材(InP)，鉛靶材(PbAs)，銦靶材(InAs)。用準確儀器設備在半導體芯片各個功能層上鍍覆一層薄薄的透明金屬導電膜，這層膜的厚度因功能需求而有不同，一般在30納米至200納米之間，不足頭發絲直徑五百分之一，以實現半導體金屬的物理化學性能，業界將這種層稱為薄膜。制造鎢靶材的大致過程就是先按配比進行用粉末混合，再經高溫燒結成形。

靶坯屬于濺射靶材的核心部分，是高速離子束流轟擊的目標材料。靶坯被離子撞擊后，其表面原子被濺射飛散出來并沉積于基板上制成電子薄膜。由于高純度金屬強度較低，因此濺射靶材需要在高電壓、高真空的機臺環境內完成濺射過程。非常高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過不同的焊接工藝進行接合，背板起到主要起到固定濺射靶材的作用，且需要具備良好的導電、導熱性能。鋁靶、銅靶用于導電層薄膜。在半導體芯片制造的金屬化工藝過程中，氧化鎢薄膜是一種被廣泛研究的功能材料。芯片行業擁有一條超長的產業鏈。其整體可分為設計、制造、封裝、四大環節。除了在設計領域，華為海思擁有一定的打破能力，其他三個環節，尤其是在制造環節，國內廠商的能力仍有較大的提升空間。

7-陽極(真空室)；8-靶電源；對靶磁控濺射裝置，由靶兩側的磁鐵及電磁線圈產生的通向磁場構成對靶磁控濺射陰極的磁路，兩塊靶材對向平行放置。業內相關人士指出，結合薄片化技術可進一步降低異質結電池的硅用量，節省成本。UVTM靶材事業部在2007年成立，致力于生產高品質的磁控濺射靶材，公司擁有粉末冶金、冶煉澆注、3D噴涂、冷等靜壓等多套靶材制備設備和工藝技術。主要生產銷售陶瓷靶材（ITO靶材、AZO靶材、氧化鈮靶材等）、金屬靶材（高純銀靶、鈮靶、銅靶等）和合金靶材（鎳鉻合合金靶、銀銅合金靶、銅鋅合金靶等），產品遠銷20多個國家和地區。濺射靶材具有高純度、高密度、多組元、晶粒均勻等特點，一般由靶坯和背板組成。

噴涂靶材。新型的濺鍍設備幾乎都使用力度強磁鐵將電子成螺旋狀運動以加速靶材周圍的氬氣離子化，造成靶與氬氣離子間的撞擊機率增加，提高濺鍍速率。一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍，而不導電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍，基本的原理是在真空中利用輝光放電（glowdischarge）將氬氣（Ar）離子撞擊靶材（target）表面，電漿中的陽離子會加速沖向作為被濺鍍材的負電極表面，這個沖擊將使靶材的物質飛出而沉積在濮純金屬靶材。UVTM是國家高新技術企業，公司成立于二00三年，專業從事信息、鍍膜、太陽能材料的科研與生產。公司從德國、日本、引進先進的生產、檢測設備和專業人才，是集科研、生產、銷售、服務于一體的中外合資企業。

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主營產品：濺射靶材,鍍膜靶材,金屬靶材,旋轉靶材,平面靶材,噴涂靶材,靶材,UV玻璃油墨 公司成立年份：2003
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