氮化鉭（TaN）靶材 99.9%

氮化鉭陶瓷靶材是一種分子式為TaN的氮化物陶瓷濺射材料, 其熔點3090℃，密度14.3g/cm³。它有時用于在銅或其他導電金屬與介電絕緣膜（如熱氧化物）之間創建阻擋層或“膠水”層。這些薄膜在集成電路制造過程中沉積在硅片頂部，以創建薄膜表面貼裝電阻器和其他電子應用。

氮化鉭 (TaN) 薄膜是一種有吸引力的擴散阻擋涂層材料，用于電子工業。TaN薄膜是通過直流濺射、CVD和脈沖激光沉積等方法制造的。在這項研究中，為了降低能源成本，在低真空條件下通過反應濺射將 TaN 薄膜沉積在 Si (111) 晶片、鈉玻璃基板上。N2/Ar 氣的質量流量在 N2 氣下從 9% 到 23% 不等。在較低的 N2 氣流下，獲得結晶 TaN 薄膜。使用 XRD 在其他速率范圍內觀察到非晶如 TaN 薄膜。通過 GDS 深度分析，在結晶 TaN 膜與 Si 晶片和玻璃基板之間觀察到 Ta 氧化物層。膜厚為200-400nm。

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