【中玻網】東京大學生產技術研究所教授藤岡洋的研究室開發出了在玻璃基板上用濺射法形成GaN基LED的技術。相關論文已發表在學術雜志。《ScientificReports》上。除了與現有LED相比可大幅降低制造成本之外，新技術還有可能實現用無機LED制作農業生產體系EL那樣的大面積發光元件。

　　藤岡教授的研究室在約2英寸（直徑約5cm）的玻璃基板上轉印了石墨烯多層膜，然后在石墨烯多層膜上用脈沖濺射法分別形成了AlN、n型GaN、由GaN與InGaN的多層構造構成的量子阱、p型GaN晶體。

　　藤岡表示，很早以前就開始開發利用濺射法制作LED的技術，“還沒有發布過這些技術的詳細內容，只是在累積經驗”。

　　另外，藤岡研究室還在2008年開發出了在石墨片材上用“脈沖激勵沉積法（PXD）”形成GaN晶體的技術。

　　此次在可稱得上是較好薄石墨片材的石墨烯片材上用濺射法形成了GaN晶體，并確認可實際發光。據介紹，分別制作了以紅色（R）、綠色（G）、藍色（B）三原色發光的LED。

　　目前還無法檢驗白色發光的發光效率，以及單色狀態下的外部量子效率，正在對較低溫條件下的內部量子效率進行評估。藤岡教授表示，“與藍寶石基板上制作的LED相比，內部量子效率要低好幾成”。今后的課題是如何將內部量子效率提高至與現有LED相當的水平。